Китайские ученые создали флешку с самой быстрой в мире скоростью записи

Исследователи из Фуданьского университета в Китае создали прототип флеш-памяти нового поколения, которая может записывать данные со скоростью 1 бит в 400 пикосекунд. Об этом сообщает агентство Xinhua.

«Это похоже на то, что устройство может работать миллиард раз в мгновение ока, тогда как обычная USB-флешка может работать только 1000 раз. Предыдущий мировой рекорд для аналогичных технологий составлял 2 миллиона», — сказал профессор Чжоу Пэн из Государственной ключевой лаборатории интегральных микросхем и систем Фуданьского университета.

Устройство получило название PoX. Оно является энергонезависимым и превосходит самые быстрые типы оперативной памяти, в числе которых DRAM и SRAM, которой требуется от 1 до 10 наносекунд для сохранения одного бита данных.

Технология может лечь в основу будущих решений для высокоскоростных систем хранения, включая ИИ-устройства, которым необходима быстрая и энергонезависимая память.